Laser diode là gì? Các công bố khoa học về Laser diode

Laser diode là thiết bị bán dẫn phát tia laser khi có dòng điện chạy qua, tạo ra chùm sáng đơn sắc, định hướng cao và đồng bộ pha nhờ phát xạ kích thích. Thiết bị này nhỏ gọn, hiệu suất cao, hoạt động nhờ tái hợp electron và lỗ trống trong cấu trúc dị thể bán dẫn để phát ra photon.

Laser diode là gì?

Laser diode, hay còn gọi là diode laser, là một thiết bị bán dẫn phát ra bức xạ laser khi có dòng điện chạy qua theo chiều thuận. Đây là một trong những dạng nguồn laser nhỏ gọn và hiệu quả nhất, sử dụng phổ biến trong các ứng dụng công nghệ cao. Khác với các loại đèn LED chỉ phát ra ánh sáng không đồng pha và phân tán, laser diode tạo ra một chùm tia sáng có tính đơn sắc cao, định hướng tốt và đồng bộ pha – ba đặc trưng cơ bản của tia laser. Nhờ cấu trúc bán dẫn và nguyên lý hoạt động đặc biệt, laser diode có thể phát sáng liên tục hoặc theo xung với tốc độ rất cao.

Laser diode giữ vai trò trung tâm trong nhiều thiết bị hiện đại, từ truyền thông quang học, công nghệ lưu trữ (CD, DVD, Blu-ray), thiết bị y tế, máy đo công nghiệp cho đến các thiết bị tiêu dùng như chuột máy tính, máy in laser và đầu đọc mã vạch. Sự kết hợp giữa hiệu suất cao, độ tin cậy và chi phí sản xuất thấp khiến laser diode trở thành loại nguồn laser phổ biến nhất trên thị trường hiện nay.

Nguyên lý hoạt động của laser diode

Laser diode hoạt động dựa trên nguyên lý phát xạ kích thích (stimulated emission) trong môi trường bán dẫn dị thể (heterojunction). Khi một hiệu điện thế thuận được áp vào tiếp giáp PN, các electron từ lớp bán dẫn loại N và các lỗ trống (hole) từ lớp bán dẫn loại P sẽ khuếch tán vào vùng hoạt động (active region). Tại đây, quá trình tái hợp giữa electron và lỗ trống xảy ra, giải phóng năng lượng dưới dạng photon – hạt ánh sáng có bước sóng xác định.

Nếu các photon này gặp đúng điều kiện cộng hưởng quang học (thường được tạo bởi hai mặt phản xạ song song ở hai đầu chip bán dẫn), chúng có thể kích thích các cặp electron-lỗ trống khác tiếp tục tái hợp và phát ra thêm photon đồng bộ. Quá trình này tạo ra hiệu ứng khuếch đại ánh sáng và hình thành bức xạ laser với tính chất định hướng, đơn sắc và đồng pha.

Phản ứng tạo photon trong laser diode:

e+h+hνe^{-} + h^{+} \rightarrow h\nu

Trong đó \( e^{-} \) là electron, \( h^{+} \) là lỗ trống, và \( h\nu \) là photon phát ra có năng lượng bằng hiệu chênh lệch giữa mức năng lượng dẫn và hóa trị trong vật liệu bán dẫn.

Cấu trúc cơ bản và vật liệu chế tạo

Laser diode thường sử dụng cấu trúc dị thể (heterostructure) hoặc dị thể kép (double heterostructure) để tối ưu hóa khả năng giam giữ ánh sáng và mang điện trong vùng hoạt động. Một laser diode điển hình bao gồm:

  • Lớp bán dẫn loại N: cung cấp electron dẫn tự do
  • Lớp bán dẫn loại P: cung cấp lỗ trống
  • Vùng hoạt động (active region): nơi diễn ra tái hợp và phát xạ photon
  • Lớp dẫn sóng (waveguide): giúp tập trung ánh sáng trong vùng hoạt động
  • Hai bề mặt phản xạ (mirrors): được đánh bóng hoặc phủ lớp phản xạ để tạo hiệu ứng cộng hưởng Fabry-Pérot

Vật liệu bán dẫn phổ biến dùng trong laser diode bao gồm:

  • Gallium Arsenide (GaAs): dùng cho laser đỏ (~650–850 nm)
  • Indium Gallium Arsenide Phosphide (InGaAsP): dùng trong viễn thông (~1310–1550 nm)
  • Gallium Nitride (GaN): dùng cho laser xanh lam và tím (~405–520 nm)

Phân loại laser diode

Laser diode có thể được phân loại dựa trên cấu trúc thiết bị, bước sóng phát ra, hoặc cơ chế phát sáng:

Theo cấu trúc:

  • Fabry–Pérot Laser Diode: sử dụng hai gương phản xạ ở hai đầu thiết bị, phổ rộng hơn, đơn giản và phổ biến.
  • Distributed Feedback Laser (DFB): tích hợp cấu trúc nhiễu xạ vào bên trong để chọn lọc bước sóng, dùng trong viễn thông.
  • VCSEL (Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser): phát xạ vuông góc với bề mặt chip, dùng trong truyền dữ liệu ngắn và cảm biến.

Theo bước sóng phát ra:

  • Laser tím (405 nm): dùng trong đĩa Blu-ray
  • Laser đỏ (635–680 nm): dùng trong thiết bị đo khoảng cách, con trỏ laser
  • Laser hồng ngoại (780–1550 nm): dùng trong truyền thông quang học, y tế
  • Laser xanh lam và xanh lục (450–520 nm): ngày càng phổ biến trong trình chiếu và hiển thị

Đặc tính kỹ thuật của laser diode

Các thông số kỹ thuật quan trọng cần xem xét khi sử dụng laser diode gồm:

  • Ngưỡng dòng điện (Threshold current): dòng điện tối thiểu để đạt điều kiện phát laser
  • Công suất đầu ra (Output power): thường dao động từ vài mW đến hàng trăm mW hoặc nhiều hơn
  • Hiệu suất chuyển đổi (Wall-plug efficiency): tỷ lệ giữa công suất quang học đầu ra và điện năng tiêu thụ
  • Độ phân kỳ chùm tia (Beam divergence): chùm laser diode thường có phân kỳ cao, cần thêm thấu kính để hội tụ
  • Tuổi thọ: có thể lên đến 10,000–100,000 giờ tùy điều kiện làm việc và cấu trúc

Ứng dụng của laser diode trong thực tiễn

Laser diode đóng vai trò không thể thiếu trong nhiều lĩnh vực khoa học, công nghiệp và đời sống:

1. Viễn thông quang học

Laser diode là nguồn sáng lý tưởng cho truyền dẫn tín hiệu qua sợi quang nhờ khả năng điều chế nhanh (lên đến GHz), bước sóng dài (~1310–1550 nm), và độ tin cậy cao. Chúng được dùng trong hệ thống FTTH, mạng truyền dữ liệu tốc độ cao và thiết bị chuyển mạch quang học.

2. Thiết bị lưu trữ và tiêu dùng

Laser diode đỏ và tím được sử dụng trong đầu đọc và ghi đĩa CD, DVD, Blu-ray. Ngoài ra, chúng còn xuất hiện trong chuột quang học, máy in laser, máy chiếu mini và thiết bị đọc mã vạch.

3. Công nghiệp và đo lường

Laser diode được dùng trong thiết bị đo khoảng cách, cảm biến vị trí, hệ thống canh chỉnh tự động, đo tốc độ và trong máy CNC để cắt hoặc đánh dấu vật liệu. Ưu điểm là độ chính xác cao và kích thước nhỏ gọn.

4. Y học và nha khoa

Các thiết bị laser diode công suất thấp (low-level laser therapy) được dùng trong vật lý trị liệu, điều trị đau, viêm, tái tạo mô và nha khoa. Laser công suất cao hơn có thể dùng để cắt mô mềm hoặc cầm máu.

Ưu điểm và hạn chế

Ưu điểm

  • Thiết kế nhỏ gọn, dễ tích hợp
  • Chi phí sản xuất thấp nhờ công nghệ bán dẫn
  • Hiệu suất năng lượng cao, tỏa nhiệt ít
  • Tuổi thọ cao và đáng tin cậy
  • Phản hồi nhanh, phù hợp với truyền dẫn tốc độ cao

Hạn chế

  • Độ phân kỳ chùm tia cao, cần hệ thống quang học bổ sung
  • Độ ổn định bước sóng kém hơn các loại laser rắn
  • Nhạy cảm với nhiệt độ, cần hệ thống làm mát để tránh suy giảm hiệu suất

Tham khảo và đọc thêm

Các bài báo, nghiên cứu, công bố khoa học về chủ đề laser diode:

InGaN-Based Multi-Quantum-Well-Structure Laser Diodes
Japanese Journal of Applied Physics - Tập 35 Số 1B - Trang L74 - 1996
InGaN multi-quantum-well (MQW) structure laser diodes (LDs) fabricated from III-V nitride materials were grown by metalorganic chemical vapor deposition on sapphire substrates. The mirror facet for a laser cavity was formed by etching of III-V nitride films without cleaving. As an active layer, the InGaN MQW structure was used. The InGaN MQW LDs produced 215 mW at a forward cu...... hiện toàn bộ
The Roles of Structural Imperfections in InGaN-Based Blue Light-Emitting Diodes and Laser Diodes
American Association for the Advancement of Science (AAAS) - Tập 281 Số 5379 - Trang 956-961 - 1998
REVIEW High-efficiency light-emitting diodes emitting amber, green, blue, and ultraviolet light have been obtained through the use of an InGaN active layer instead of a GaN active layer. The localized energy states caused by In composition fluctuation in the InGaN active layer are related to the high efficiency of the InGaN-based emitting devices. Th...... hiện toàn bộ
Blue-green laser diodes
Applied Physics Letters - Tập 59 Số 11 - Trang 1272-1274 - 1991
The first laser diodes fabricated from wide-band-gap II-VI semiconductors are demonstrated. These devices emit coherent light at a wavelength of 490 nm from a ZnSe-based single-quantum-well structure under pulsed current injection at 77 K. This is the shortest wavelength ever generated by a semiconductor laser diode.
GaInNAs: A Novel Material for Long-Wavelength-Range Laser Diodes with Excellent High-Temperature Performance
Japanese Journal of Applied Physics - Tập 35 Số 2S - Trang 1273 - 1996
We propose a novel material, GaInNAs, that can be formed on GaAs to drastically improve the temperature characteristics (T 0) in long-wavelength-range laser diodes. The feasibility of our proposal is demonstrated experimentally.
Shortest wavelength semiconductor laser diode
Electronics Letters - Tập 32 Số 12 - Trang 1105 - 1996
Room-temperature continuous-wave operation of InGaN multi-quantum-well structure laser diodes with a lifetime of 27 hours
Applied Physics Letters - Tập 70 Số 11 - Trang 1417-1419 - 1997
The continuous-wave (cw) operation of InGaN multi-quantum-well structure laser diodes (LDs) was demonstrated at room temperature (RT) with a lifetime of 27 h. The threshold current and the voltage of the LDs were 80 mA and 5.5 V, respectively. The threshold current density was 3.6 kA/cm2. Longitudinal modes with a mode separation of 0.042 nm were observed under cw operation at RT. When the...... hiện toàn bộ
Optimization in scaling fiber-coupled laser-diode end-pumped lasers to higher power: influence of thermal effect
IEEE Journal of Quantum Electronics - Tập 33 Số 8 - Trang 1424-1429 - 1997
Blue light generated by frequency doubling of laser diode light in a lithium niobate channel waveguide
IEEE Photonics Technology Letters - Tập 1 Số 10 - Trang 316-318 - 1989
Tổng số: 1,273   
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 10